Применение профилированных сгустков для увеличения коэффициента трансформации в коаксиальных диэлектрических структурах

• Дата: 2012
• Автори: Сотников, Г.В., Маршалл, Т.К., Хиршфилд, Дж.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Новые и нестандартные ускорительные технологии
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108739
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Применение профилированных сгустков для увеличения коэффициента трансформации в коаксиальных диэлектрических структурах / Г.В. Сотников, Т.К. Маршалл, Дж.Л. Хиршфилд // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 3. — С. 164-168. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Основной параметр диэлектрического кильватерного ускорителя - коэффициент трансформации. Для его увеличения используются профилированные последовательности сгустков (RBT) или многослойные диэлектрические структуры (CDWA). Мы показываем возможность применения RBT для увеличения коэффициента трансформ...