Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке

Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс к...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2015
Автор: Крышталь, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108756
record_format dspace
spelling irk-123456789-1087562016-11-16T03:02:14Z Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке Крышталь, А.П. Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс компонентов. Показано, что температура плавления двухфазной частицы Au-Ge размером ≈20 нм составляет 301 ± 15 °С, а частицы размером ≈13 нм — 211 ± 15 °С, что существенно ниже эвтектической температуры для макроскопической системы (361 °С). Наводяться результати in situ електронно-мікроскопічного дослідження плавлення ізольованих двофазних частинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці. Нанорозмірні частинки Au-Ge формувалися шляхом плавлення і наступної кристалізації двошарових плівок Au/Ge з евтектичним співвідношенням мас компонентів. Показано, що температура плавлення двофазної частинки Au-Ge розміром ≈20 нм становить 301 ± 15 °С, а частинки розміром ≈13 нм — 211 ± 15 °С, що істотно нижче евтектичної температури для макроскопічної системи (361 °С). The results of in situ electron microscopy studies of melting of isolated Au-Ge two-phase particles on an amorphous carbon support have been reported. Nanosized Au-Ge particles have been produced by melting and subsequent crystallization of Au/Ge layered films with eutectic mass ratio of the components. It has been shown that the melting temperature of Au-Ge two-phase particle of ≈20 nm in size was 301 ± 15 °С, and for particle of ≈13 nm in size it was 211 ± 15 °С, which are significantly below the eutectic temperature for macroscopic system (361 °С) 2015 Article Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756 538.975 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс компонентов. Показано, что температура плавления двухфазной частицы Au-Ge размером ≈20 нм составляет 301 ± 15 °С, а частицы размером ≈13 нм — 211 ± 15 °С, что существенно ниже эвтектической температуры для макроскопической системы (361 °С).
format Article
author Крышталь, А.П.
spellingShingle Крышталь, А.П.
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
Физическая инженерия поверхности
author_facet Крышталь, А.П.
author_sort Крышталь, А.П.
title Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
title_short Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
title_full Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
title_fullStr Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
title_full_unstemmed Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
title_sort определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц au-ge на аморфной углеродной подложке
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756
citation_txt Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT kryštalʹap opredelenieévtektičeskojtemperaturyizolirovannyhdvuhfaznyhnanočasticaugenaamorfnojuglerodnojpodložke
first_indexed 2023-10-18T20:18:22Z
last_indexed 2023-10-18T20:18:22Z
_version_ 1796149509697306624