Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс к...
Збережено в:
Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
---|---|
Дата: | 2015 |
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-108756 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1087562016-11-16T03:02:14Z Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке Крышталь, А.П. Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс компонентов. Показано, что температура плавления двухфазной частицы Au-Ge размером ≈20 нм составляет 301 ± 15 °С, а частицы размером ≈13 нм — 211 ± 15 °С, что существенно ниже эвтектической температуры для макроскопической системы (361 °С). Наводяться результати in situ електронно-мікроскопічного дослідження плавлення ізольованих двофазних частинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці. Нанорозмірні частинки Au-Ge формувалися шляхом плавлення і наступної кристалізації двошарових плівок Au/Ge з евтектичним співвідношенням мас компонентів. Показано, що температура плавлення двофазної частинки Au-Ge розміром ≈20 нм становить 301 ± 15 °С, а частинки розміром ≈13 нм — 211 ± 15 °С, що істотно нижче евтектичної температури для макроскопічної системи (361 °С). The results of in situ electron microscopy studies of melting of isolated Au-Ge two-phase particles on an amorphous carbon support have been reported. Nanosized Au-Ge particles have been produced by melting and subsequent crystallization of Au/Ge layered films with eutectic mass ratio of the components. It has been shown that the melting temperature of Au-Ge two-phase particle of ≈20 nm in size was 301 ± 15 °С, and for particle of ≈13 nm in size it was 211 ± 15 °С, which are significantly below the eutectic temperature for macroscopic system (361 °С) 2015 Article Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756 538.975 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс компонентов. Показано, что температура плавления двухфазной частицы Au-Ge размером ≈20 нм составляет 301 ± 15 °С, а частицы размером ≈13 нм — 211 ± 15 °С, что существенно ниже эвтектической температуры для макроскопической системы (361 °С). |
format |
Article |
author |
Крышталь, А.П. |
spellingShingle |
Крышталь, А.П. Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке Физическая инженерия поверхности |
author_facet |
Крышталь, А.П. |
author_sort |
Крышталь, А.П. |
title |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке |
title_short |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке |
title_full |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке |
title_fullStr |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке |
title_full_unstemmed |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке |
title_sort |
определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц au-ge на аморфной углеродной подложке |
publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
publishDate |
2015 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108756 |
citation_txt |
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке / А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 292-297. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
series |
Физическая инженерия поверхности |
work_keys_str_mv |
AT kryštalʹap opredelenieévtektičeskojtemperaturyizolirovannyhdvuhfaznyhnanočasticaugenaamorfnojuglerodnojpodložke |
first_indexed |
2023-10-18T20:18:22Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:18:22Z |
_version_ |
1796149509697306624 |