Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков

• Дата: 2015
• Автори: Гордиенко, Ю.Е., Щербак, Е.Л., Левченко, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108764
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков м/ Ю.Е. Гордиенко, Е.Л. Щербак, А.В. Левченко // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 348-355. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В работе развиты предшествующие теоретические и экспериментальные исследования локального СВЧ нагрева полупроводников, диэлектриков и биообъектов. В результате сформулированы положения, оценивающие зависимость кинетики и локальности нагрева от длительности воздействующего СВЧ импульса, термодинамических характеристик объекта и геометрии острия СВЧ зонда. Показано, что при сферической форме острия локальность установления температуры в приповерхностной области объекта под СВЧ зондом характеризуется малоизменяющимся микронным объемом (порядка 1 мкм3) при радиусе сферы от 1 до примерно 100 мкм. При радиусе сферы менее 1 мкм локальность становится субмикронной и улучшается с уменьшением радиуса. Длительность воздействия слабо влияет на локальность при сферической форме острия. При острие конической формы имеет место прямая зависимость локальности от радиуса острия и существенна делокализация с увеличением длительности воздействия. Отдельно представлены зависимости кинетики от физических параметров объекта.