Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков
В работе развиты предшествующие теоретические и экспериментальные исследования локального СВЧ нагрева полупроводников, диэлектриков и биообъектов. В результате сформулированы положения, оценивающие зависимость кинетики и локальности нагрева от длительности воздействующего СВЧ импульса, термодинамиче...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108764 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков м/ Ю.Е. Гордиенко, Е.Л. Щербак, А.В. Левченко // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 348-355. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |