Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гете...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10891
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-10891
record_format dspace
spelling irk-123456789-108912010-08-10T12:02:07Z Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. Вакуумная и твердотельная электроника С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные характеристики. Определены предельные рабочие частоты. За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджена робота GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховані енергетичні та частотні характеристики. Визначені граничні робочі частоти. Operation of the GaAs TED’s with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED’s with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency characteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined. 2007 Article Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10891 621.382.2 ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Стороженко, И.П.
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
description С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные характеристики. Определены предельные рабочие частоты.
format Article
author Стороженко, И.П.
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
author_facet Стороженко, И.П.
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
author_sort Стороженко, И.П.
title Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
title_short Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
title_full Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
title_fullStr Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
title_full_unstemmed Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
title_sort энергетические и частотные характеристики gaas диодов ганна с alxga1-xas и gapxas1-x катодами
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2007
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10891
citation_txt Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT storoženkoip énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami
AT arkušaûv énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami
AT prohorovéd énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami
first_indexed 2023-10-18T16:45:33Z
last_indexed 2023-10-18T16:45:33Z
_version_ 1796139807058952192

Схожі ресурси