Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора –...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108925 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-108925 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1089252016-11-18T03:02:19Z Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора – скорость травления” и установлены концентрационные границы полирующих растворов. Оптимизированы составы полирующих смесей для травления ZnSe методами химико-динамического и химико-механического полирования. Исследовано состояние поверхности кристаллов селенида цинка методами электронной микроскопии после механической и химической обработки. The chemical interaction of undoped and doped ZnSe crystals surface with bromine emerging solutions of H₂O₂ – HBr – acetic acid has been investigated. The dependence of dissolution rate on the etchants compositions, its stirring, temperature, and doping of the crystals have been studied. The phase diagrams of “etchants compositions – etching rate” have been constructed. The concentration regions of polishing solutions and the surface state after chemical etching have been defined. The polishing etchants compositions for chemical treatment of the test materials have been optimized. The surface state of zinc selenide crystals after mechanical and chemical treatment has been investigated using electron microscopy. 2014 Article Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108925 (548.5 + 621.794.4):546.47’23 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора – скорость травления” и установлены концентрационные границы полирующих растворов. Оптимизированы составы полирующих смесей для травления ZnSe методами химико-динамического и химико-механического полирования. Исследовано состояние поверхности кристаллов селенида цинка методами электронной микроскопии после механической и химической обработки. |
| format |
Article |
| author |
Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. |
| spellingShingle |
Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. |
| author_sort |
Станецкая, А.С. |
| title |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_short |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_full |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_fullStr |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_full_unstemmed |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_sort |
химическое травление поверхности кристаллов znse растворами h₂o₂–hbr–уксусная кислота |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108925 |
| citation_txt |
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT staneckaâas himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT tomašikvn himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT stratijčukib himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT tomašikzf himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT galkinsn himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota |
| first_indexed |
2023-10-18T20:18:46Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:18:46Z |
| _version_ |
1796149526767075328 |