Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS

Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупровод...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Бобренко, Ю.Н., Павелец, С.Ю., Семикина, Т.В., Шереметова, Г.И., Ярошенко, Н.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108927
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108927
record_format dspace
spelling irk-123456789-1089272016-11-18T03:02:26Z Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS Бобренко, Ю.Н. Павелец, С.Ю. Семикина, Т.В. Шереметова, Г.И. Ярошенко, Н.В. Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры. Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied. 2014 Article Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108927 621.315.592; 621.384.2 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры.
format Article
author Бобренко, Ю.Н.
Павелец, С.Ю.
Семикина, Т.В.
Шереметова, Г.И.
Ярошенко, Н.В.
spellingShingle Бобренко, Ю.Н.
Павелец, С.Ю.
Семикина, Т.В.
Шереметова, Г.И.
Ярошенко, Н.В.
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Бобренко, Ю.Н.
Павелец, С.Ю.
Семикина, Т.В.
Шереметова, Г.И.
Ярошенко, Н.В.
author_sort Бобренко, Ю.Н.
title Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
title_short Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
title_full Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
title_fullStr Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
title_full_unstemmed Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
title_sort фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов cdxzn1–xs
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108927
citation_txt Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT bobrenkoûn fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs
AT pavelecsû fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs
AT semikinatv fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs
AT šeremetovagi fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs
AT ârošenkonv fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs
first_indexed 2023-10-18T20:18:46Z
last_indexed 2023-10-18T20:18:46Z
_version_ 1796149526979936256