2025-02-23T18:55:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108930%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:55:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108930%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:55:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T18:55:42-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Карась, Н.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108930
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения меньшего, чем темновое. ПБФД эффект проявлял себя тем, что кривые люкс-амперных характеристик – зависимости ФП от интенсивности освещения – не совпадали при прямом и обратном направлениях тока, и с увеличением интенсивности освещения это расхождение увеличивалось. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием на поверхности полупроводника (МПК) инверсионного изгиба зон из-за прилипания на так называемых “медленных” поверхностных уровнях основных носителей заряда, что вызывает отрицательную ФП. С другой стороны, инверсионный р-слой, образующийся при этом, с объемом кремния n-типа создают индуцированный p-n-переход с весьма малой глубиной залегания (0,05 – 0,1 мкм), т.е. поверхностно-барьерный фотодиод.

Similar Items