2025-02-23T05:57:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-109019%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:57:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-109019%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:57:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T05:57:43-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе

Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе

Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокусировки с шаг...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Анохин, Р.А., Воеводин, В.Н., Дубнюк, С.Н., Егоров, А.М., Зайцев, Б.В., Кобец, А.Ф., Леденёв, О.П., Павлий, К.В., Ружицкий, В.В., Толстолуцкая, Г.Д.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Диагностика и методы исследований
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/109019
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокусировки с шаговым изменением синхронной фазы вдоль фокусирующих периодов. Создан и исследован инжектор однократно заряженных ионов гелия, энергия которых на выходе ускорительной трубки равна 120 кэВ, с последующей инжекцией пучка в ускорительную секцию ПОС-4. Для облучения образцов изготовлена камера, в процессе облучения измеряются температура образца, ток пучка и доза. Установка и методика облучения апробированы при исследовании термодесорбции гелия и электрофизических свойств облученных образцов.

Similar Items