Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость

• Видавець: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
• Дата: 2007
• Автори: Михайловский, В.В., Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н., Литовченко, П.Г., Карпенко, А.Я., Вихлий, Г.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110653
• Цитувати: Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих точечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентрация антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возникает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспериментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры.