Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110653 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-110653 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1106532017-01-06T03:03:34Z Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих точечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентрация антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возникает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспериментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры. Досліджується роль антиструктурних дефектів, створених опроміненням, в модифікації фізичних властивостей бінарних напівпровідників під дією опромінення. Накоплення антиструктурних дефектів, обумовлених неправильним заміщенням атомів кристалу, може привести до появи принципово нових властивостей кристалів. Із аналізу кінетичного рівняння, враховуючого різні типи взаємодіючих точечних дефектів (вакансій, міжвузельних атомів та антиструктурних дефектів), показано, що концентрація антиструктурних дефектів може бути великою і якщо їх густина вища, ніж деяка порогова, то виникає їх неоднорідний розподіл. Приведені експериментальні дані стосовно спостереження надпровідності в InAs при опроміненні α-частинками з енергією 80 MеВ. Зроблено припущення, що в опроміненому InAs накоплення антиструктурних дефектів (тобто атомів In) приводить до появи надпровідних областей. Запропонована теоретична модель правильно описує залежність електрофізичних властивостей кристалу від магнітного поля та температури. Role of antisite defects generated irradiation in modification of physical properties of binary semiconductors under irradiation is studied. Antisite defects accumulation caused by improper substitution of crystal atoms can lead to appearance of principal new properties of a crystal. Analysis of the kinetic equation taking into account different types of interacting point defects (vacancies, interstitial atoms, and antisite defects) has revealed that the antisite defects concentration can be high and if antisite defects density is higher than some threshold density non-homogeneous distribution is appeared. There have been presented experimental data displaying on superconductivity onset in InAs under irradiation by α-particles with energy of 80 MeV. It is supposed that antisite defects accumulation (i.e. atoms of In) in irradiated InAs leads to superconducting areas origin. Proposed theoretical model describes correctly dependence of physical properties of a crystal on a magnetic field and temperature. 2007 Article Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110653 621.315.592 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих точечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентрация антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возникает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспериментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры. |
| format |
Article |
| author |
Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. |
| author_facet |
Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. |
| author_sort |
Михайловский, В.В. |
| title |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость |
| title_short |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость |
| title_full |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость |
| title_fullStr |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость |
| title_full_unstemmed |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость |
| title_sort |
модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. индуцированная облучением сверхпроводимость |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110653 |
| citation_txt |
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT mihajlovskijvv modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT sugakovvi modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT ševcovaon modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT litovčenkopg modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT karpenkoaâ modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT vihlijga modifikaciâsvojstvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:22:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:22:29Z |
| _version_ |
1796149694850662400 |