Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из...
Збережено в:
Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
---|---|
Дата: | 2007 |
Автори: | Михайловский, В.В., Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н., Литовченко, П.Г., Карпенко, А.Я., Вихлий, Г.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110653 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Влияние комплексообразования на междоузельный механизм спинодального распада бинарных сплавов под облучением
за авторством: Селищев, П.А.
Опубліковано: (2000) -
Формирование стационарных пластинчатых выделений в бинарном сплаве под облучением
за авторством: Щербань, Л.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Модель эффективной поглощающей среды для бинарного сплава замещения под облучением
за авторством: Туркин, А.А., та інші
Опубліковано: (2006) -
Радиационные повреждения пленок С₆₀ при дозовых нагружениях, создаваемых электронным облучением
за авторством: Дмитренко, О.П., та інші
Опубліковано: (2008) -
Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
за авторством: Слёзов, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)