Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells

In the article, CuInSe₂ thin films obtained by sequential deposition of Cu and indium selenide starting layer with the further annealing of the two-layered composition in Se atmosphere were investigated by transmission electron microscopy (TEM). On the base of the obtained basic CuInSe₂ layers, the...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Grigorov, S.N., Kosevich, V.M., Kosmachev, S.M., Taran, A.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110751
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells / S.N. Grigorov, V.M. Kosevich, S.M. Kosmachev, A.V. Taran // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 93-95. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-110751
record_format dspace
spelling irk-123456789-1107512017-01-07T03:03:04Z Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells Grigorov, S.N. Kosevich, V.M. Kosmachev, S.M. Taran, A.V. Физика и технология конструкционных материалов In the article, CuInSe₂ thin films obtained by sequential deposition of Cu and indium selenide starting layer with the further annealing of the two-layered composition in Se atmosphere were investigated by transmission electron microscopy (TEM). On the base of the obtained basic CuInSe₂ layers, the ZnSe buffer layers were grown. It was found that ZnSe layer of cubic modification grow epitaxialy on a surface of CuInSe₂. Проведено електронно-мікроскопічне дослідження тонких плівок CuInSe₂, виготовлених засобом послідовного осадження у вакуумі селеніду індію й міді з наступним відпалом двошарової композиції в атмосфері селену. На основі отриманих плівок CuInSe₂, були вирощені буферні шари ZnSe. Встановлено, що шар ZnSe кубічної модифікації зростає епітаксійно на поверхні плівки CuInSe₂. Проведено электронно-микроскопическое исследование тонких плёнок CuInSe₂, приготовленных методом последовательного осаждения в вакууме селенида индия и меди с последующим отжигом двухслойной композиции в атмосфере селена. На основе полученных плёнок CuInSe₂ были выращены буферные слои ZnSe. Установлено, что слой ZnSe кубической модификации растёт эпитаксиально на поверхности плёнки CuInSe₂. 2008 Article Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells / S.N. Grigorov, V.M. Kosevich, S.M. Kosmachev, A.V. Taran // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 93-95. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110751 539.219.3 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Физика и технология конструкционных материалов
Физика и технология конструкционных материалов
spellingShingle Физика и технология конструкционных материалов
Физика и технология конструкционных материалов
Grigorov, S.N.
Kosevich, V.M.
Kosmachev, S.M.
Taran, A.V.
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
Вопросы атомной науки и техники
description In the article, CuInSe₂ thin films obtained by sequential deposition of Cu and indium selenide starting layer with the further annealing of the two-layered composition in Se atmosphere were investigated by transmission electron microscopy (TEM). On the base of the obtained basic CuInSe₂ layers, the ZnSe buffer layers were grown. It was found that ZnSe layer of cubic modification grow epitaxialy on a surface of CuInSe₂.
format Article
author Grigorov, S.N.
Kosevich, V.M.
Kosmachev, S.M.
Taran, A.V.
author_facet Grigorov, S.N.
Kosevich, V.M.
Kosmachev, S.M.
Taran, A.V.
author_sort Grigorov, S.N.
title Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
title_short Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
title_full Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
title_fullStr Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
title_full_unstemmed Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
title_sort tem investigation of cuinse₂-znse heterostructures for thin film solar cells
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2008
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110751
citation_txt Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells / S.N. Grigorov, V.M. Kosevich, S.M. Kosmachev, A.V. Taran // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 93-95. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT grigorovsn teminvestigationofcuinse2znseheterostructuresforthinfilmsolarcells
AT kosevichvm teminvestigationofcuinse2znseheterostructuresforthinfilmsolarcells
AT kosmachevsm teminvestigationofcuinse2znseheterostructuresforthinfilmsolarcells
AT taranav teminvestigationofcuinse2znseheterostructuresforthinfilmsolarcells
first_indexed 2023-10-18T20:22:49Z
last_indexed 2023-10-18T20:22:49Z
_version_ 1796149713283579904