Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя
Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и време...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110873 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-110873 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1108732017-01-07T03:05:27Z Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. Физика и технология конструкционных материалов Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки. Тимчасовий розвиток пружного розсіювання світла вивчалося в процесі формування гетеруючого прошарка на поверхні кремнію та германію під дією імпульсного лазерного випромінювання. Установлено лінійний характер залежності між інтенсивністю розсіювання світла поверхнею досліджених зразків та часом лазерної обробки. The temporary development of elastic light scattering was studied in process formation of the gettering layer on a surface of silicon and germanium under action of pulse laser radiation. The linear character of dependence between intensity of light scattering by a surface of the investigated samples and time of laser processing was established. 2007 Article Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110873 661.68; 66.012.1; 535.361 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов |
| spellingShingle |
Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки. |
| format |
Article |
| author |
Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. |
| author_facet |
Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. |
| author_sort |
Точилин, Д.С. |
| title |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_short |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_full |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_fullStr |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_full_unstemmed |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_sort |
упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Физика и технология конструкционных материалов |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110873 |
| citation_txt |
Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT točilinds uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ AT luŝinsp uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ AT točilinsd uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:23:00Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:23:00Z |
| _version_ |
1796149720424382464 |