Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя
Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и време...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110873 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |