Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP - Конорєва, О.В.; Литовченко, П.Г.; Опилат, В.Я.; Петренко, І.В.; Пінковська, М.Б.; Тартачник, В.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ.