Радиационные повреждения пленок С₆₀ при дозовых нагружениях, создаваемых электронным облучением

• Дата: 2008
• Автори: Дмитренко, О.П., Кулиш, Н.П., Прилуцкий, Ю.И., Павленко, Е.Л., Грабовский, Ю.Е., Стащук, В.С., Белый, Н.М., Родионова, Т.В., Попенко, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Київський національний університет имені Тараса Шевченка України 2008
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111092
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Радиационные повреждения пленок С₆₀ при дозовых нагружениях, создаваемых электронным облучением / О.П. Дмитренко, Н.П. Кулиш, Ю.И. Прилуцкий, Е.Л. Павленко, В.И. Попенко, Ю.Е. Грабовский, В.С. Стащук, Н.М. Белый, Т.В. Родионова // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 48-52. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Изучено влияние высокоэнергетического электронного облучения (Е=1,8 МэВ) при дозовых нагружениях от 1,0 до 20,0 МГр на кристаллическую структуру, электронные и колебательные спектры пленок фуллеритов C₆₀. Рентгеновская дифракционная картина, спектры рамановского рассеяния и оптической проводимости показывают, что радиационные повреждения во всем используемом интервале доз поглощения приводят к незначительной деградации молекул C₆₀. В основном радиационное дефектообразование способствует сшивкам соединенных молекул, что приводит к слабой димеризации и полимеризации кристаллической структуры фуллеритов.