Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами

Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющи...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Неклюдов, И.М., Малик, А.К., Пархоменко, А.А., Рудницкий, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111116
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 52-56. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-111116
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1111162017-01-09T03:03:20Z Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами Неклюдов, И.М. Малик, А.К. Пархоменко, А.А. Рудницкий, А.В. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющим является распад долгоживущих электронных возбуждений с рождением точечных дефектов. Розглянуто взаємодії високоенергетичних електронів (до 250 МеВ) з іонною та електронною підсистемами LiF. Визначено основні енергетичні параметри та поперечний переріз цих взаємодій. На основі аналізу головних механізмів генерації дефектів у ЩГК після опромінення зроблено висновок, що провідним є розпад довгоживучих електронних збуджень з народженням точкових дефектів. Interactions between high-energy electrons (up to 250 MeV) and LiF ion and electron subsystem are considered in article. Basic energy parameters and cross-sections of these interations are detected. Conclusion based on main mechanisms of defect generation in alkali halide crystals after irradiation analyze in long-lived electron excitations decay with point defects generation is determinative. 2009 Article Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 52-56. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111116 539.12.04:549.541 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
spellingShingle	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Неклюдов, И.М. Малик, А.К. Пархоменко, А.А. Рудницкий, А.В. Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами Вопросы атомной науки и техники
description	Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющим является распад долгоживущих электронных возбуждений с рождением точечных дефектов.
format	Article
author	Неклюдов, И.М. Малик, А.К. Пархоменко, А.А. Рудницкий, А.В.
author_facet	Неклюдов, И.М. Малик, А.К. Пархоменко, А.А. Рудницкий, А.В.
author_sort	Неклюдов, И.М.
title	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
title_short	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
title_full	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
title_fullStr	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
title_full_unstemmed	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
title_sort	ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах lif при облучении высокоэнергетическими электронами
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111116
citation_txt	Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 52-56. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT neklûdovim ionizacionnyemehanizmygeneraciiradiacionnyhdefektovvkristallahlifprioblučeniivysokoénergetičeskimiélektronami AT malikak ionizacionnyemehanizmygeneraciiradiacionnyhdefektovvkristallahlifprioblučeniivysokoénergetičeskimiélektronami AT parhomenkoaa ionizacionnyemehanizmygeneraciiradiacionnyhdefektovvkristallahlifprioblučeniivysokoénergetičeskimiélektronami AT rudnickijav ionizacionnyemehanizmygeneraciiradiacionnyhdefektovvkristallahlifprioblučeniivysokoénergetičeskimiélektronami
first_indexed	2024-03-30T09:15:10Z
last_indexed	2024-03-30T09:15:10Z
_version_	1796149747968376832

Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами

Репозитарії

Схожі ресурси