Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺
Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111285 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-111285 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1112852017-01-10T03:03:06Z Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ Харченко, Д.О. Харченко, В.О. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые характеристики длины волны структур при выборе их ориентации. Получены значения показателя роста, продольного и поперечного показателей шероховатости в областях диаграммы устойчивости, отвечающих различным типам структур. Проведено числове моделювання зміни морфології поверхні кремнія при розпиленні іонами аргона. На підгрунті сумісного використання процедури Монте-Карло та континуального підходу встановлено діаграму стійкості поверхневих структур, які мають нанорозмірний масштаб. З’ясовано скейлінгові характеристики довжини хвилі структур при виборі їх орієнтації. Отримано значення показника росту, поздовжнього та поперечного показників шорсткості в областях діаграми стійкості, що відповідають різним типам структур. We study morphology change of silicon surface at sputtering by argon ions. Using both Monte-Carlo and continual approach a stability diagram for surface patterns having nano-scale range is calculated. We have obtained scaling characteristics for wave-length of patterns when they change their orientation. Scaling exponents characterizing growth processes and both lateral and longitudinal roughness are obtained for domains of the stability diagram related to different kind of patterns. 2011 Article Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111285 539.2 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Харченко, Д.О. Харченко, В.О. Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые характеристики длины волны структур при выборе их ориентации. Получены значения показателя роста, продольного и поперечного показателей шероховатости в областях диаграммы устойчивости, отвечающих различным типам структур. |
| format |
Article |
| author |
Харченко, Д.О. Харченко, В.О. |
| author_facet |
Харченко, Д.О. Харченко, В.О. |
| author_sort |
Харченко, Д.О. |
| title |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_short |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_full |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_fullStr |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_full_unstemmed |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_sort |
моделирование изменения морфологии поверхности si при распылении ионами ar⁺ |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111285 |
| citation_txt |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT harčenkodo modelirovanieizmeneniâmorfologiipoverhnostisipriraspyleniiionamiar AT harčenkovo modelirovanieizmeneniâmorfologiipoverhnostisipriraspyleniiionamiar |
| first_indexed |
2024-03-30T09:16:04Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:16:04Z |
| _version_ |
1796149763602644992 |