Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определя...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111369 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-111369 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1113692017-01-10T03:03:54Z Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов. Розглянуто області температур дифузного і дрейфового руху електронів у n-Si, вирощеного методом Чохральського, після опромінення швидкими нейтронами реактора. Описано температурні залежності концентрації носіїв у провідній матриці й у всьому зразку і розраховані дрейфові бар'єри, що визначають їхній питомий опір. У рамках уточненої моделі ефективного середовища описана температурна залежність питомого опору n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) після опромінення швидкими нейтронами реактора. Підтверджено, що розсіювання носіїв на заряджених дефектах і кластерах при обліку дрейфових бар'єрів визначають температурну залежність рухливості електронів у n-Si із уведеними кластерами дефектів. The area of temperatures of diffuse and drift movement electrons in n-Si, grown up by Czochralski method, after irradiation fast neutrons of a reactor is considered. Temperature dependencies of carrier concentrations in a conducting matrix and in volume of samples are described and the drift barriers determining their specific resistance are calculated. Within the limits of the specified model of the effective environment temperature dependence of specific resistance n-Si (ρ₀ ═ 40 Ω·cm) after an irradiation is described by fast neutrons of a reactor. It is shown that the account of drift barriers and defects recharges in the space-charge areas of defect clusters describes temperature dependence of specific resistance more precisely. It is confirmed that scattering of carriers on the charged defects and clusters at the account of drift barriers defines temperature dependence of mobility electrons in n-Si with introduced clusters of defects. 2011 Article Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111369 621.315.592.3:546.28:539.12.04 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Долголенко, А.П. Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов. |
| format |
Article |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| author_sort |
Долголенко, А.П. |
| title |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_short |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_fullStr |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full_unstemmed |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_sort |
кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111369 |
| citation_txt |
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap kinetičeskiekoéfficientyvntipekremniâoblučënnogobystryminejtronamireaktora |
| first_indexed |
2024-03-30T09:16:32Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:16:32Z |
| _version_ |
1796149773893369856 |