Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрац...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111390 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-111390 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1113902017-01-10T03:04:51Z Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface. 2003 Article Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111390 539.2; 538.911 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| spellingShingle |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). |
| format |
Article |
| author |
Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| author_facet |
Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| author_sort |
Игнатьева, Т.А. |
| title |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_short |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_full |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_fullStr |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_full_unstemmed |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_sort |
электронно-топологический переход в системе re1-x- moх |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111390 |
| citation_txt |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT ignatʹevata élektronnotopologičeskijperehodvsistemere1xmoh AT velikodnyjan élektronnotopologičeskijperehodvsistemere1xmoh |
| first_indexed |
2024-03-30T09:16:40Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:16:40Z |
| _version_ |
1796149776128933888 |