Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии

• Дата: 2013
• Автор: Долголенко, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2013
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111417
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 5. — С. 37-42. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀=(1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К. Определены энергетические уровни дивакансии в германии в трех зарядовых состояниях в зависимости от её конфигурации в кремнии. Рассмотрены эксперименты, которые можно объяснить как конфигурационные переходы дивакансии с большей дисторсии в меньшую и наоборот в кремнии и германии. Приведены значения энергетических уровней дивакансии в кремнии и германии в разных конфигурациях. Показано, что у радиационных дефектов в Ge отсутствуют донорные уровни, а энергия Hubbard у дефектов такая же, как и в Si. Уровень дивакансии V₂(−/0) в Q1-конфигурации Ev+0,085 эВ определяет концентрацию дырок в валентной зоне p-Ge 2,2·10¹⁷ см⁻³ и положение уровня Ферми Ev+0,125 эВ в кластерах дефектов, созданных быстрыми нейтронами в Ge. Концентрация дефектов ~2·10¹⁸ см⁻³ в кластерах образует примесную зону около валентной зоны шириной 0,08 эВ.