Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плос...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). |
|---|