Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плос...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-111694 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1116942017-01-14T03:02:50Z Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Григоров, С.Н. Таран, А.В. Физика и технология конструкционных материалов На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). На поверхні (001) кристалів KCl з підшаром PbS при температурі підкладки 400 ºС вирощені епітаксійні плівки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діаграмі стану Cu₂Se–In₂Se₃. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні дефекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упакування по площинах (001). β-CIS epitaxial films were grown on (001) KCl surface with PbS sublayer at 400 ºС. There were revealed the β-CIS and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu₂Se–In₂Se₃ pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes. 2011 Article Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694 539.219.3 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов |
| spellingShingle |
Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов Григоров, С.Н. Таран, А.В. Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Вопросы атомной науки и техники |
| description |
На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). |
| format |
Article |
| author |
Григоров, С.Н. Таран, А.В. |
| author_facet |
Григоров, С.Н. Таран, А.В. |
| author_sort |
Григоров, С.Н. |
| title |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_short |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_full |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_fullStr |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_full_unstemmed |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_sort |
эпитаксиальный рост плёнок тройной системы сu–in–se |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Физика и технология конструкционных материалов |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694 |
| citation_txt |
Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT grigorovsn épitaksialʹnyjrostplënoktrojnojsistemysuinse AT taranav épitaksialʹnyjrostplënoktrojnojsistemysuinse |
| first_indexed |
2024-03-30T09:18:12Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:18:12Z |
| _version_ |
1796149805178683392 |