Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence o...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111722 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-111722 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1117222017-01-14T03:03:41Z Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. Чистые материалы и вакуумные технологии In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence of heat treatment on phase-structural condition of single crystals and nonequilibrium carrier lifetime has been determined. Вивчено особливості вирощування досконалих легованих монокристалів кремнію. Виявлено особливості анодного травлення монокристалів n- і p-типів. Визначено вплив орієнтації запалу на еволюцію дислокаційної і дефектної структур у кристалі на різних стадіях росту. Встановлено вплив термообробки на структурно-фазовий стан монокристалів і час життя нерівноважних носіїв струму. Изучены особенности выращивания совершенных легированных монокристаллов кремния. Выявлены особенности анодного травления монокристаллов n- и p-типов. Определено влияние ориентации затравок на эволюцию дислокационной и дефектной структур в кристалле на различных стадиях роста. Установлено влияние термообработки на структурно-фазовое состояние монокристаллов и время жизни неравновесных носителей тока. 2016 Article Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. 1562-6016 PACS:81.10.Fq, 88.40.jj, 78.40.Fy, 81.40.-z, 85.40.Ry, 72.10.Fk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111722 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Чистые материалы и вакуумные технологии Чистые материалы и вакуумные технологии |
| spellingShingle |
Чистые материалы и вакуумные технологии Чистые материалы и вакуумные технологии Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals Вопросы атомной науки и техники |
| description |
In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence of heat treatment on phase-structural condition of single crystals and nonequilibrium carrier lifetime has been determined. |
| format |
Article |
| author |
Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. |
| author_facet |
Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. |
| author_sort |
Azarenkov, N.А. |
| title |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_short |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_full |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_fullStr |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_full_unstemmed |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_sort |
monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Чистые материалы и вакуумные технологии |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111722 |
| citation_txt |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT azarenkovna monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT semenenkove monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT ovcharenkoai monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT pylypenkomm monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals |
| first_indexed |
2024-03-30T09:18:27Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:18:27Z |
| _version_ |
1796149810179342336 |