2025-02-23T11:18:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-112255%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:18:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-112255%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:18:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:18:21-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀

Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Малеев, М.В., Зубарев, Е.Н., Пуха, В.Е., Дроздов, А.Н., Вус, А.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
Series:Металлофизика и новейшие технологии
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112255
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней из SiO₂ наблюдается в интервале энергий ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитируется процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиального карбида кремния.