Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112297 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-112297 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1122972017-01-20T03:02:34Z Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц. The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles. 2015 Article Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112297 612.315.592 uk Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. |
| format |
Article |
| author |
Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. |
| author_facet |
Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. |
| author_sort |
Гонтарук, О.М. |
| title |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_short |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_full |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_fullStr |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_full_unstemmed |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_sort |
особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів gаp |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112297 |
| citation_txt |
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT gontarukom osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT konorevaov osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT litovčenkopg osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT malijêv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT petrenkoív osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT pínkovsʹkamb osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT tartačnikvp osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT šlapacʹkavv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap |
| first_indexed |
2024-03-30T09:21:27Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:21:27Z |
| _version_ |
1796149872068395008 |