Конфигурационная перестройка дивакансии: электронные обобщенные уровни в запрещенной зоне кремния

• Дата: 2015
• Автор: Долголенко, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112298
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Конфигурационная перестройка дивакансии: электронные обобщенные уровни в запрещенной зоне кремния / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 22-27. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Описана температурная зависимость концентрации носителей в кремнии, связанная с перезарядкой дважды отрицательной и положительно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсии в меньшую дисторсию и обратно. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенных уровней Ес-0,23 и Еv+0,283 эВ дивакансии возможно только в процессе их конфигурационной перестройки. Установлено, что концентрация V₂²⁻/⁻ с экспериментально наблюдаемым уровнем Ес-0,23 эВ определяется не только видом ядерного излучения, но и зависит от введения точечных дефектов межузельного типа. Представлена в зависимости от температуры возможная конфигурационная перестройка дивакансий в γ-облученном n-Si. Математически описана температурная зависимость концентрации электронов в зоне проводимости n-типа кремния. Определены концентрация и зарядовое состояние обобщенного уровня Ес-0,11 эВ дивакансии.