Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo

• Main Authors: Нищенко, М.М., Смольник, С.В., Шевченко, Н.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
• Series: Металлофизика и новейшие технологии
• Subjects: Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112385

Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода φ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Тотж = 1400—2000 К величина φ плавно снижается на Δφ = 0,18 эВ (до 4,82 ± 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на ΔE = 1,2 эВ до значений Е = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в π-зоне проводимости и (π+σ)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии π-зоны проводимости вверх, а σ-валентной зоны – вниз. Отжиг при Тотж = 2200—2700 К не изменяет значение φ и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Мо(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трёх до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении Е.