Структурні, електричні та магнеторезистивні властивості заміщених стронцієм манганітів лантану
Досліджено структурні, електричні та магнеторезистивні властивості зразків La₁₋xSrxMnO₃ (х=0,15—0,60), виготовлених золь—ґель-методою. Кристалографічні параметри визначалися за допомогою рентґенівської дифракції. Вимірювання електричних властивостей виконувалися в температурному інтервалі 77—380 К я...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структурні, електричні та магнеторезистивні властивості заміщених стронцієм манганітів лантану / Т. І. Полек, О. І. Товстолиткін, С. О. Солопан, А. Г. Білоус, С. В. Недух, С. І. Тарапов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 10. — С. 1395-1404. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |