Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения

С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Шатерник, А.В., Прихна, Т.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
Назва видання:Металлофизика и новейшие технологии
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112482
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-112482
record_format dspace
spelling irk-123456789-1124822017-01-23T03:02:45Z Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Шатерник, А.В. Прихна, Т.А. Электронные структура и свойства С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение. З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB₂—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB₂. Підвищені значення характеристичної напруги ICRN = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB₂—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга. By using vacuum deposition and shadow-masks’ technique, there are fabricated and investigated Josephson proximity MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe junctions and Josephson resonance-percolation MgB₂—Si(W)—MoRe junctions based on the magnesium diboride (MgB₂) thin films. The increased values of the characteristic voltage ICRN = 30—38 mV of fabricated MgB₂—Si(W)—MoRe junctions give a possibility to increase DC SQUID sensitivity by several times as a result of the increasing of their flux-to-voltage transfer coefficient. 2016 Article Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1024-1809 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112482 DOI: 10.15407/mfint.38.03.0319 PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp, 85.25.Dq ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные структура и свойства
Электронные структура и свойства
spellingShingle Электронные структура и свойства
Электронные структура и свойства
Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Шатерник, А.В.
Прихна, Т.А.
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
Металлофизика и новейшие технологии
description С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение.
format Article
author Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Шатерник, А.В.
Прихна, Т.А.
author_facet Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Шатерник, А.В.
Прихна, Т.А.
author_sort Шатерник, В.Е.
title Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
title_short Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
title_full Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
title_fullStr Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
title_full_unstemmed Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
title_sort переходы джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2016
topic_facet Электронные структура и свойства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112482
citation_txt Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv AT šaternikve perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ
AT šapovalovap perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ
AT šaternikav perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ
AT prihnata perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ
first_indexed 2024-03-30T09:22:28Z
last_indexed 2024-03-30T09:22:28Z
_version_ 1796149891441885184