2025-02-23T11:48:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-112578%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:48:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-112578%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:48:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:48:16-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg₂Si при термическом воздействии

Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg₂Si при термическом воздействии

Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg₂Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750°C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg₂Si слои Si – а...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Конотопский, Л.Е., Копылец, И.А., Севрюкова, В.А., Зубарев, Е.Н., Кондратенко, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
Series:Металлофизика и новейшие технологии
Subjects:
Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112578
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg₂Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750°C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg₂Si слои Si – аморфные. Слои Mg₂Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450°C наблюдается кристаллизация слоёв Mg₂Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg₂Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600°C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.

Similar Items