Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах

Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действие...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Руденко, Э.М., Белоголовский, М.А., Короташ, И.В., Полоцкий, Д.Ю., Краковный, А.А., Житлухина, Е.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
Назва видання:Металлофизика и новейшие технологии
Теми:
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112601
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-112601
record_format dspace
spelling irk-123456789-1126012017-01-24T03:02:58Z Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами. Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характеристик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжектора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових вакансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декількох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена експериментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґрованої мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між сусідніми комутаційними вузлами. Physical nature of hysteretic transport characteristics of two solid-state structures is discussed. For heterocontacts formed by a metal counter electrode with a complex transition-metal oxide, it is shown that two-valued current—voltage dependences appear due to the migration of the O vacancies under the influence of an external electric field whereas a memristancy-like behaviour of nanostructured carbon films is due to the presence of current-carrier traps. As found in the latter case, an extremely high conductivity state of carbon film is formed after several periods of the alternating current flowing through it. The experimentally discovered asymmetry of the current—voltage characteristics for carbon films opens up a possibility of their application as a base element of an integrated memristor circuit able to eliminate a parasitic link between the adjacent switching nodes. 2016 Article Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.38.08.0995 PACS: 61.72.Hh, 73.40.Ns, 74.72.-h, 74.78.Fk, 81.40.Rs, 84.32.Ff, 85.25.Hv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112601 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
spellingShingle Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
Металлофизика и новейшие технологии
description Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами.
format Article
author Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
author_facet Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
author_sort Руденко, Э.М.
title Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_short Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_full Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_fullStr Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_full_unstemmed Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_sort мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2016
topic_facet Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112601
citation_txt Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
series Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv AT rudenkoém memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT belogolovskijma memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT korotašiv memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT polockijdû memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT krakovnyjaa memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT žitluhinaes memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
first_indexed 2024-03-30T09:23:06Z
last_indexed 2024-03-30T09:23:06Z
_version_ 1796149904006971392

Схожі ресурси