Исследование влияния кадмия на свойства сплавов ZnCdO методом функционала электронной плотности с использованием кластеров Zn₃₆O₃₆

Методом функционала электронной плотности исследовано влияние примеси атомов кадмия на стабильность, электронную структуру и ширину запрещенной зоны фуллереноподобного кластера Zn₃₆₋xCdxO₃₆ с sp²-связями с последующим распространением результатов на твердотельные структуры для изучения влияния импла...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автор: Овсянникова, Л.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2014
Назва видання:Электронная микроскопия и прочность материалов
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114282
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование влияния кадмия на свойства сплавов ZnCdO методом функционала электронной плотности с использованием кластеров Zn₃₆O₃₆ / Л.И. Овсянникова // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2014. — Вип. 20. — С. 65-70. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Методом функционала электронной плотности исследовано влияние примеси атомов кадмия на стабильность, электронную структуру и ширину запрещенной зоны фуллереноподобного кластера Zn₃₆₋xCdxO₃₆ с sp²-связями с последующим распространением результатов на твердотельные структуры для изучения влияния имплантации кадмия в матрицу ZnО на электронную структуру и ширину запрещенной зоны тройных сплавов ZnCdO. Показано, что замещение атомов Zn на атомы Cd в кластере приводит к уменьшению стабильности кластера и монотонному уменьшению энергетической щели с ростом процентного содержания Cd. Достоверность полученных данных подтверждается хорошим совпадением расчетных характеристик с экспериментом: рассчитанная энергия запрещенной зоны (2,827 эВ) для кластера Zn₃₄Cd₂O₃₆ (~6% (aт.) Cd) очень близка к экспериментальной величине запрещенной зоны (2,87 эВ) для пленки Zn0.94Cd0.06O, выращенной магнетронным напылением.