(M, N)-exponential model in the theory of excitons

The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model i...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	1998
Автори:	Piskovoi, V.N., Strelniker, Ya.M.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114665
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	(M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-114665
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1146652017-03-12T03:02:18Z (M, N)-exponential model in the theory of excitons Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model is demonstrated on the base of the Frenkel exciton. The model essentially extends the area of the possible applications consarving at the same time the exact solubilities and other advantages of the traditional exponential-like approches for the case of the bounded media. The model is used in the paper for deriving the balance equations of the energy density and the energy flux density as well as for studing of boundary value and some other crystal optics problems near the excitonic resonances. Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової єнергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв.язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів. Построена обобщенная экспоненциальная модель, учитывающая возможность одновременного существования нескольких параллельных каналов переноса световой энергии экситонами. Детальное физическое обоснование модели проведено на базе экситонов Френкеля. Новая модель сохраняет все преимущества одно-экспоненциальной модели экситона, как одной из немногих точно решаемых задач в теории распространения электромагнитных волн в ограниченных пространственно диспергирующих средах. Вместе с тем она существенно расширяет возможности исследования нелокальных оптических явлений в кристаллах. В работе предложенная модель используется, в частности, для вывода добавочных граничных условий и уравнения баланса для плотности и потока поляритонной энергии, а также для решения ряда других проблем кристаллооптики с пространственной дисперсией. 1998 Article (M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ. 1560-8034 PACS 71.36.+c, 78.-e http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114665 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
description	The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model is demonstrated on the base of the Frenkel exciton. The model essentially extends the area of the possible applications consarving at the same time the exact solubilities and other advantages of the traditional exponential-like approches for the case of the bounded media. The model is used in the paper for deriving the balance equations of the energy density and the energy flux density as well as for studing of boundary value and some other crystal optics problems near the excitonic resonances.
format	Article
author	Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M.
spellingShingle	Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. (M, N)-exponential model in the theory of excitons Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
author_facet	Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M.
author_sort	Piskovoi, V.N.
title	(M, N)-exponential model in the theory of excitons
title_short	(M, N)-exponential model in the theory of excitons
title_full	(M, N)-exponential model in the theory of excitons
title_fullStr	(M, N)-exponential model in the theory of excitons
title_full_unstemmed	(M, N)-exponential model in the theory of excitons
title_sort	(m, n)-exponential model in the theory of excitons
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	1998
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114665
citation_txt	(M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ.
series	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
work_keys_str_mv	AT piskovoivn mnexponentialmodelinthetheoryofexcitons AT strelnikeryam mnexponentialmodelinthetheoryofexcitons
first_indexed	2023-10-18T20:25:05Z
last_indexed	2023-10-18T20:25:05Z
_version_	1796150100657963008

(M, N)-exponential model in the theory of excitons

Репозитарії

Схожі ресурси