Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit
Analysis is made for the possibility of redistribution of mobile point defects in a semiconductor after its exposure to the electric field till the stationary conditions in the crystal are reached. Two different ways of applying the voltage are considered: (i) directly to the sample, (ii) to a capac...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114667 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit / N.I. Kashirina, V.V. Kislyuk, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-114667 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1146672017-03-12T03:02:11Z Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit Kashirina, N.I. Kislyuk, V.V. Sheinkman, M.K. Analysis is made for the possibility of redistribution of mobile point defects in a semiconductor after its exposure to the electric field till the stationary conditions in the crystal are reached. Two different ways of applying the voltage are considered: (i) directly to the sample, (ii) to a capacitor, with the sample located between the plates. This model is applicable also to the electric field of any nature, whether external or internal, e.g. that arisning at the metal-semiconductor interface. Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи . як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник. Приводится анализ возможности распределения точечных дефектов в полупроводнике после воздействия на него электрического поля до установления стационарных условий. Рассматривается два способа приложения напряжения: а) непосредственно к образцу, б) к обкладкам конденсатора, между которыми помещается образец. Модель также применима для электрических полей любой природы как внешних так и внутренних, возникающих, например, на контакте металл-полупроводник. 1998 Article Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit / N.I. Kashirina, V.V. Kislyuk, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1560-8034 PACS 61.72; 71.55. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114667 539.219.3 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Analysis is made for the possibility of redistribution of mobile point defects in a semiconductor after its exposure to the electric field till the stationary conditions in the crystal are reached. Two different ways of applying the voltage are considered: (i) directly to the sample, (ii) to a capacitor, with the sample located between the plates. This model is applicable also to the electric field of any nature, whether external or internal, e.g. that arisning at the metal-semiconductor interface. |
| format |
Article |
| author |
Kashirina, N.I. Kislyuk, V.V. Sheinkman, M.K. |
| spellingShingle |
Kashirina, N.I. Kislyuk, V.V. Sheinkman, M.K. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Kashirina, N.I. Kislyuk, V.V. Sheinkman, M.K. |
| author_sort |
Kashirina, N.I. |
| title |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit |
| title_short |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit |
| title_full |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit |
| title_fullStr |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit |
| title_full_unstemmed |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit |
| title_sort |
theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: i. stationary limit |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114667 |
| citation_txt |
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit / N.I. Kashirina, V.V. Kislyuk, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT kashirinani theoreticalapproachtoelectrodiffusionofshallowdonorsinsemiconductorsistationarylimit AT kislyukvv theoreticalapproachtoelectrodiffusionofshallowdonorsinsemiconductorsistationarylimit AT sheinkmanmk theoreticalapproachtoelectrodiffusionofshallowdonorsinsemiconductorsistationarylimit |
| first_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| _version_ |
1796150100869775360 |