Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon
Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band de...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114671 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-114671 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1146712017-03-12T03:02:24Z Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band depend differently on the anodization conditions during aging and thermal treatment. Two excitation channels were shown to exist in PS. The visible PLE band at 300 K was attributed to light absorption of some species on the surface of Si wires. Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремміго методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типі спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов.язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток. Исследован механизм возбуждении фотолюминесценции пористого кремнии методами фотолюминесценции и инфракрасного поглощения. Показано, что существуют два типа спектров возбуждения, которые содержат либо две полосы (видимую и ультрафиолетовую), либо только одну (ультрафиолетовую) полосу. Изучены зависимости ингенсивностей каждой полосы возбуждения от режимов электрохимического травления, а также их поведение в процессе старения и термических обработок пористых слоев. Показано, что существуют два канала возбуждения фотолюминесценции. Видимая полоса в спектре возбуждения при 300 К связывается с поглощением света веществами, адсорбированными на поверхности кремниевых нитей. 1998 Article Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1560-8034 PACS 78.55.H http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114671 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band depend differently on the anodization conditions during aging and thermal treatment. Two excitation channels were shown to exist in PS. The visible PLE band at 300 K was attributed to light absorption of some species on the surface of Si wires. |
| format |
Article |
| author |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. |
| spellingShingle |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. |
| author_sort |
Torchinskaya, T.V. |
| title |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_short |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_full |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_fullStr |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_full_unstemmed |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_sort |
effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114671 |
| citation_txt |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT torchinskayatv effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT korsunskayane effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT khomenkovalyu effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT dzhumaevbr effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT manya effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT goldsteiny effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT savire effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon |
| first_indexed |
2023-10-18T20:25:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:25:06Z |
| _version_ |
1796150101292351488 |