Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal c...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114673 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-114673 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1146732017-03-12T03:02:22Z Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te. Вивчено вплив Ni и Se на кiнетику кристалiзацiї Ge:Sb:Te сплавiв. Виявлено, що обидва елементи пiдвищують стабiльнiсть аморфної структури. Кiнетика кристалiзацiї при iзотермiчнiй обробцi показує, що Ni зменшує як бар.єр термiчної кристалiзацiї, так i швидкiсть кристалiзацiї. Кристалiзацiя зразкiв, якi мiстять Se також уповiльнена, можливо завдяки бiльш сильній енергії зв.язку цього елементу в порiвняннi з Te. Изучено влияние Ni и Se на кинетику кристаллизации Ge:Sb:Te сплавов. Установлено, что оба элемента повышают стабильность аморфной структуры. Кинетика кристаллизации при изотермической обработке показывает, что Ni уменьшает как барьер термической кристаллизации так и скорость кристаллизации. Кристаллизация образцов, содержащих Se также замедленная, возможно благодаря более сильной энергии связи элемента по сравнению с Te. 1998 Article Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1560-8034 PACS 61.72.V; 72.80.E http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114673 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te. |
| format |
Article |
| author |
Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. |
| spellingShingle |
Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. |
| author_sort |
Garsia-Garsia, E. |
| title |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_short |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_full |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_fullStr |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_full_unstemmed |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_sort |
crystallization kinetics of ge₂₂sb₂₂tе₅₆ doped with se and ni |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114673 |
| citation_txt |
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT garsiagarsiae crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT yanezlimonm crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT vorobievy crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT espinozabeltranf crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT gonzalezhernandezj crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni |
| first_indexed |
2023-10-18T20:25:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:25:06Z |
| _version_ |
1796150101504163840 |