Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання

Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Бродин, М.С., Весна, В.Т., Дегода, В.Я., Зайцевський, І.Л., Кожушко, Б.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Назва видання:Наука та інновації
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114962
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання / М.С. Бродин, В.Т. Весна, В.Я. Дегода, І.Л. Зайцевський, Б.В. Кожушко // Наука та інновації. — 2014. — Т. 10, № 2. — С. 49-54. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-114962
record_format dspace
spelling irk-123456789-1149622017-03-22T03:02:16Z Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання Бродин, М.С. Весна, В.Т. Дегода, В.Я. Зайцевський, І.Л. Кожушко, Б.В. Світ інновацій Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. На виготовленому макеті приладу продемонстрована можливість реєстрації гамма-квантів за допомогою високоомного детектора із ZnSe в режимі окремих імпульсів. Проведен краткий анализ главных типов детекторов ионизирующего излучения, их преимуществ и недостатков. Обосновано применение полупроводникового детектора на базе ZnSe при повышенных температурах. Использованы разные формы образцов детекторов, изготовленных из селенида цинка, и двокристальная схема для регистрации рентгеновского или гамма-излучения в широком енергетическом диапазоне. С помощью изготовленного макета прибора продемонстрирована возможность регистрации гамма-квантов высокоомным детектором из ZnSe в режиме отдельных импульсов. Analysis of the major types of ionizing radiation detectors, their advantages and disadvantages are presented. Application of ZnSe-based semiconductor detector in high temperature environment is substantiated. Different forms of ZnSe-based detector samples and double-crystal scheme for registration of X- and gamma rays in a broad energy range were used . Based on the manufactured simulator device, the study sustains the feasibility of the gamma quanta recording by a high-resistance ZnSe-based detector operating in a perpulse mode. 2014 Article Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання / М.С. Бродин, В.Т. Весна, В.Я. Дегода, І.Л. Зайцевський, Б.В. Кожушко // Наука та інновації. — 2014. — Т. 10, № 2. — С. 49-54. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1815-2066 DOI: doi.org/10.15407/scin10.02.049 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114962 uk Наука та інновації Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Світ інновацій
Світ інновацій
spellingShingle Світ інновацій
Світ інновацій
Бродин, М.С.
Весна, В.Т.
Дегода, В.Я.
Зайцевський, І.Л.
Кожушко, Б.В.
Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
Наука та інновації
description Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. На виготовленому макеті приладу продемонстрована можливість реєстрації гамма-квантів за допомогою високоомного детектора із ZnSe в режимі окремих імпульсів.
format Article
author Бродин, М.С.
Весна, В.Т.
Дегода, В.Я.
Зайцевський, І.Л.
Кожушко, Б.В.
author_facet Бродин, М.С.
Весна, В.Т.
Дегода, В.Я.
Зайцевський, І.Л.
Кожушко, Б.В.
author_sort Бродин, М.С.
title Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
title_short Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
title_full Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
title_fullStr Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
title_full_unstemmed Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
title_sort двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2014
topic_facet Світ інновацій
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114962
citation_txt Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання / М.С. Бродин, В.Т. Весна, В.Я. Дегода, І.Л. Зайцевський, Б.В. Кожушко // Наука та інновації. — 2014. — Т. 10, № 2. — С. 49-54. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
series Наука та інновації
work_keys_str_mv AT brodinms dvoenergetičnijnapívprovídnikovijdetektorrentgenívsʹkogotagammavipromínûvannâ
AT vesnavt dvoenergetičnijnapívprovídnikovijdetektorrentgenívsʹkogotagammavipromínûvannâ
AT degodavâ dvoenergetičnijnapívprovídnikovijdetektorrentgenívsʹkogotagammavipromínûvannâ
AT zajcevsʹkijíl dvoenergetičnijnapívprovídnikovijdetektorrentgenívsʹkogotagammavipromínûvannâ
AT kožuškobv dvoenergetičnijnapívprovídnikovijdetektorrentgenívsʹkogotagammavipromínûvannâ
first_indexed 2023-10-18T20:25:32Z
last_indexed 2023-10-18T20:25:32Z
_version_ 1796150120186642432