Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов
Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы- ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст- рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо- дели...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115340 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы-
ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст-
рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо-
дели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов в образцах крем-
ния. Определены энергетические уровни радиационных дефектов в проводящей матрице n-Si. Обоснована
роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов и их
участие в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов. |
|---|