Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в коротк...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Данько, В.А., Індутний, І.З., Михайловська, К.В., Шепелявий, П.Є.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115598
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-115598
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1155982017-04-08T03:03:18Z Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx. The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures. 2010 Article Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115598 621. 315. 592:535 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx.
format	Article
author	Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є.
spellingShingle	Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є.
author_sort	Данько, В.А.
title	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_short	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_full	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_fullStr	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_full_unstemmed	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_sort	фотолюмінесценція поруватих nc-si—siox наноструктур, оброблених парами hf
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2010
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115598
citation_txt	Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT danʹkova fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT índutnijíz fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT mihajlovsʹkakv fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT šepelâvijpê fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf
first_indexed	2024-03-30T09:32:43Z
last_indexed	2024-03-30T09:32:43Z
_version_	1796150172604956672

Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Репозитарії

Схожі ресурси