Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных хара...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2010
Автори: Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115600
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-115600
record_format dspace
spelling irk-123456789-1156002017-04-08T03:03:21Z Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки. A photo-emf in the NbN—GaAs Schottky contact samples has been found and studied. This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. The character of its distribution along the length of heterosystem sample indicates predominantly barrier mechanism of its generation. A complicated alternating form of spectral characteristics of the photo-emf is related to contributions to the measured signal from several components that are generated at potential barriers of the metal—semiconductor heterosystem. Illumination of samples on the metal side results in change of the form of spectral characteristics and reversal of a sign of photo-emf. This is caused by variation of interrelation between the photo-emf components that are generated in the heterosystem layers with different conductivities. It is shown that a semiconductor junction layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics. 2010 Article Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115600 535.215.6 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.
format Article
author Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
spellingShingle Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
author_sort Венгер, Е.Ф.
title Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
title_short Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
title_full Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
title_fullStr Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
title_full_unstemmed Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
title_sort латеральная фотоэдс в контакте шоттки
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115600
citation_txt Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT vengeref lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki
AT gotovyi lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki
AT šehovcovlv lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki
first_indexed 2024-03-30T09:32:44Z
last_indexed 2024-03-30T09:32:44Z
_version_ 1796150172816769024

Схожі ресурси