Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных хара...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115600 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!