2025-02-23T08:33:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115605%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:33:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115605%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:33:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T08:33:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепт...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Литовченко, Н.М., Насека, Ю.Н., Прохорович, А.В., Рашковецкий, Л.В., Стрильчук, О.Н., Сизов, Ф.Ф., Войциховская, О.О., Данильченко, Б.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115605
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока).

Similar Items