Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

• Дата: 2010
• Автори: Литовченко, Н.М., Насека, Ю.Н., Прохорович, А.В., Рашковецкий, Л.В., Стрильчук, О.Н., Сизов, Ф.Ф., Войциховская, О.О., Данильченко, Б.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115605
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока).