Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками
Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115607 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-115607 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1156072017-04-08T03:03:18Z Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (α²σ) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~650 К. Показано, що у разі легування свинцем p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ масовою часткою понад 0,6 %, відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %. The experimental investigation of dependencies of the thermal electromotive force and electroconductivity of р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ and n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, grown by the vertical zone melting, depending on doping of the synthesized ingots has been carried out. It was established that an increase of the ratio of charge carriers, formed by the impurities (Pb, I), with respect to other defects, including antisite defects, leads to the increase of thermoelectric efficiency (α²σ) and a decrease of the material thermal degradation at the working temperature of the hot generator junction ~650 К. It was shown that the doping of the p- (Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ by lead higher than 0,6 % mass. % leads to the saturation. The use of such materials for manufacturing the thermoelectric generator allows to increase the module efficiency by 18 %. 2010 Article Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115607 612.315.592.546.28 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Ukrainian |
description |
Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (α²σ) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~650 К. Показано, що у разі легування свинцем p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ масовою часткою понад 0,6 %, відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %. |
format |
Article |
author |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. |
spellingShingle |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
author_facet |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. |
author_sort |
Павлович, І.І. |
title |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
title_short |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
title_full |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
title_fullStr |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
title_full_unstemmed |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
title_sort |
легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2010 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115607 |
citation_txt |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
work_keys_str_mv |
AT pavlovičíí leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami AT kopiloí leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami AT tomašikvm leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami |
first_indexed |
2024-03-30T09:32:46Z |
last_indexed |
2024-03-30T09:32:46Z |
_version_ |
1796150173566500864 |