Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

• Дата: 2010
• Автори: Власенко, Н.А., Сопинский, Н.В., Гуле, Е.Г., Велигура, Л.И., Братусь, В.Я., Мельник, Р.С., Денисова, З.Л., Мухльо, М.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115612
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx.