2025-02-21T07:21:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115612%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T07:21:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115612%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T07:21:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-21T07:21:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усилен...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Власенко, Н.А., Сопинский, Н.В., Гуле, Е.Г., Велигура, Л.И., Братусь, В.Я., Мельник, Р.С., Денисова, З.Л., Мухльо, М.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115612
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx.

Similar Items