Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усилен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Власенко, Н.А., Сопинский, Н.В., Гуле, Е.Г., Велигура, Л.И., Братусь, В.Я., Мельник, Р.С., Денисова, З.Л., Мухльо, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115612
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-115612
record_format dspace
spelling irk-123456789-1156122017-04-08T03:03:21Z Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния Власенко, Н.А. Сопинский, Н.В. Гуле, Е.Г. Велигура, Л.И. Братусь, В.Я. Мельник, Р.С. Денисова, З.Л. Мухльо, М.А. Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx. It is shown that edge photoluminescence (PL) of p-Si wafers is enhanced at spectrum maximum (λmax = 1130—1140 nm) by a factor of 4—5 after deposition of SiOx film (x = 1,2—1,3) by thermal evaporation of silicon monoxide. This is accompanied by relative enhancement of the shortwave part of the spectrum. The increase of the PL intensity is higher in the case of films with lower density of dangling bonds, which have been obtained by interrupting deposition. It has been found that the influence of annealing in usual atmosphere air up to 1000 °C on the edge PL is essentially different for the Si wafer with and without SiOx film. The reasons of this difference are explained as based on the experimental results and the analysis of the annealing-induced changes in SiOx film and at c-Si—SiOx interface. 2010 Article Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115612 546.28, 535.376, 661.665 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx.
format Article
author Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
spellingShingle Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
author_sort Власенко, Н.А.
title Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_short Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_full Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_fullStr Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_full_unstemmed Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_sort влияние пленки siox, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115612
citation_txt Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT vlasenkona vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT sopinskijnv vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT guleeg vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT veligurali vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT bratusʹvâ vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT melʹnikrs vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT denisovazl vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT muhlʹoma vliânieplenkisioxnanesennojtermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
first_indexed 2024-03-30T09:32:48Z
last_indexed 2024-03-30T09:32:48Z
_version_ 1796150174099177472

Схожі ресурси