Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

• Дата: 2016
• Автори: Ащеулов, А.А., Галочкин, А.В., Романюк, И.С., Дремлюженко, С.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Новые технологии
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115674
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр.