2025-02-24T07:05:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115674%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T07:05:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115674%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T07:05:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T07:05:25-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ащеулов, А.А., Галочкин, А.В., Романюк, И.С., Дремлюженко, С.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Новые технологии
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115674
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр.

Similar Items