Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Ащеулов, А.А., Галочкин, А.В., Романюк, И.С., Дремлюженко, С.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Новые технологии
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115674
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-115674
record_format dspace
spelling irk-123456789-1156742017-04-10T03:02:21Z Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки Ащеулов, А.А. Галочкин, А.В. Романюк, И.С. Дремлюженко, С.Г. Новые технологии Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр. Представлено конструкцію і технологію виготовлення структури фотодіода Шотткі на основі підкладки з радіаційно стійкого кристала n-/In₂Hg₃Te₆ з бар'єрним шаром з Cr, що характеризується фотовідповіддю в області 0,6—1,6 мкм при максимальній чутливості 0,43 А/Вт на довжині хвилі 1,55 мкм. Дослідження електричних параметрів цих фотодіодних структур показали, що висота потенційного бар'єру складає 0,41 еВ, а величина зворотного темнового струму не перевищує 4 мкА. Створені пристрої зберігають свою працездатність при дозах гама-опромінення 2x10⁸ бер. Schottky photodiode structure was designed on the base of this semiconductor formed by a modified floating zone recrystallization technique where the sedimentation effect was leveled. It consists of n-In₂Hg₃Te₆ substrate and deposited by cathode sputtering Cr barrier layer of thickness within a range 10-11 nm choice of Cr is determined by its optimal optical, electric and adhesive features in high quality radiation-resistant photodiode structures manufacturing. Indium and nichrome are used as ohmic contacts. The barrier structures have the contact area of 1,13 mm² with photo response of 0,6-1,6 mm at the maximal sensitivity 0,43 A/W on the wavelength l,55 mm. Reverse dark current of these structures do not exceed 4 mA at the bias of 1 V (T=295 K), and the potential barrier height is equal to 0,41 eV. The tests of radiation resistance of these structures demonstrated their ability to function at doses of 2x10⁸ rem without evident parameters changes. This allows using them in practical aims in the conditions of high radiation. 2016 Article Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.0 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115674 621.383.526, 621.793 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Новые технологии
Новые технологии
spellingShingle Новые технологии
Новые технологии
Ащеулов, А.А.
Галочкин, А.В.
Романюк, И.С.
Дремлюженко, С.Г.
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр.
format Article
author Ащеулов, А.А.
Галочкин, А.В.
Романюк, И.С.
Дремлюженко, С.Г.
author_facet Ащеулов, А.А.
Галочкин, А.В.
Романюк, И.С.
Дремлюженко, С.Г.
author_sort Ащеулов, А.А.
title Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
title_short Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
title_full Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
title_fullStr Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
title_full_unstemmed Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
title_sort радиационно стойкая фотоструктура на основе cr/in₂hg₃te₆ для диода шоттки
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2016
topic_facet Новые технологии
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115674
citation_txt Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT aŝeulovaa radiacionnostojkaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki
AT galočkinav radiacionnostojkaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki
AT romanûkis radiacionnostojkaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki
AT dremlûženkosg radiacionnostojkaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki
first_indexed 2024-03-30T09:33:04Z
last_indexed 2024-03-30T09:33:04Z
_version_ 1796150180083400704

Схожі ресурси