Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
Исследовано влияние иттербия на люминесцентные свойства беспримесных кристаллов селенида цинка. Показано, что в спектрах излучения образцов ZnSe:Yb наблюдается только голубая полоса, имеющая экситонную природу и обладающая высокой температурной стабильностью....
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115680 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb / В.П. Махний, О.В. Кинзерская, И.М. Сенко, А.М. Слётов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 37-40. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-115680 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1156802017-04-10T03:02:26Z Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb Махний, В.П. Кинзерская, О.В. Сенко, И.М. Слётов, А.М. Материалы электроники Исследовано влияние иттербия на люминесцентные свойства беспримесных кристаллов селенида цинка. Показано, что в спектрах излучения образцов ZnSe:Yb наблюдается только голубая полоса, имеющая экситонную природу и обладающая высокой температурной стабильностью. Досліджено вплив ітербію на люмінесцентні властивості бездомішкових кристалів селеніда цинку. Показано, що в спектрах випромінювання зразків ZnSe:Yb спостерігається тільки блакитна смуга, яка має екситонну природу та високу температурну стабільність. The problem of obtaining of effective edge luminescence with high temperature stability in the zinc selenide crystals is discussed. This task is solved by using as the dopant rare-earth element yttrium, which is introduced into the undoped ZnSe crystal by diffusion method. Doping was carried out in an evacuated to 10⁻⁴ Torr. and a sealed quartz ampoule, in the opposite ends of which is a sample and a mixture of the crushed Yb and Se. It has been found that the diffusion coefficient of yttrium at a temperature of 1400 K is about 5x10⁻⁷ cm²/sec. It is shown that in the luminescence spectra of ZnSe:Yb samples in the temperature range 295-470 K only blue band is observed. Dependencies of parameters of this band from the excitation level are typical for the annihilation of excitons at their inelastic scattering by free carriers. The efficacy of blue radiation at 300 K is about 30% and does not fall more than twice with increasing temperature up to 470 K, indicating its high thermal stability. 2016 Article Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb / В.П. Махний, О.В. Кинзерская, И.М. Сенко, А.М. Слётов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 37-40. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.37 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115680 625.315.592; 535.37 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Махний, В.П. Кинзерская, О.В. Сенко, И.М. Слётов, А.М. Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовано влияние иттербия на люминесцентные свойства беспримесных кристаллов селенида цинка. Показано, что в спектрах излучения образцов ZnSe:Yb наблюдается только голубая полоса, имеющая экситонную природу и обладающая высокой температурной стабильностью. |
| format |
Article |
| author |
Махний, В.П. Кинзерская, О.В. Сенко, И.М. Слётов, А.М. |
| author_facet |
Махний, В.П. Кинзерская, О.В. Сенко, И.М. Слётов, А.М. |
| author_sort |
Махний, В.П. |
| title |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb |
| title_short |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb |
| title_full |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb |
| title_fullStr |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb |
| title_full_unstemmed |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb |
| title_sort |
высокотемпературная люминесценция кристаллов znse:yb |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115680 |
| citation_txt |
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb / В.П. Махний, О.В. Кинзерская, И.М. Сенко, А.М. Слётов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 37-40. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT mahnijvp vysokotemperaturnaâlûminescenciâkristallovznseyb AT kinzerskaâov vysokotemperaturnaâlûminescenciâkristallovznseyb AT senkoim vysokotemperaturnaâlûminescenciâkristallovznseyb AT slëtovam vysokotemperaturnaâlûminescenciâkristallovznseyb |
| first_indexed |
2024-03-30T09:33:07Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:33:07Z |
| _version_ |
1796150180723032064 |